實驗室設備與提供服務模式

服務模式及設備

1.設備使用
  計次收費，材料與相關設備請參考表一 (如有合作發表規劃費用可另議)
2.專案委託
  設備開發(ALD/ PVD/ RTA/ etc.)
  製程開發(ALD/ ALE/ etc.)
上述服務費用請來信洽談或詢問

表一、設備與材料對照表

Name Wafer Module/Tool Characterization/Processing
Coupon-B 8" Oxide ALD Al2O3、ZnO、TiO2、In2O3、SnO2
Cluster PM1 6" Oxide PEALD Al2O3、HfO2、ZrO2、HZO
Cluster PM2 6" Nitride PEALD AlN、TaN
Cluster PM3註1 6" RTP FGA、Sulfidization
Cluster PM4 6" PEALE Al2O3、ZnO、SiO2、GaN
Cluster PM5註2 6" XPS Film composition、AR Analysis
C.Cluster PM1 2" Oxide ALD In2O3、WO3、IWO
C.Cluster PM2 2" PEALD TiN、SiNx
EUV platform註3 12" Inspections of EUV PR and mask

註1 RTP 服務及限制：
1.溫度最高到 900 ℃。
2.樣品大於25mm*25mm，且不得具有強磁性、揮發性、毒性及輻射性。若致設備汙染或損壞，由該申請人支付相關維修費用。

註2 X射線光電子能譜儀 (XPS)亦提供薄膜成分即時分析服務，規範如下：
1.XPS模組與六吋叢集式(cluster)系統結合，並於真空環境下進行樣品傳遞，其設備規格為： X ray source: SPECS XR 50 (spot size~ 10mm*10mm); Analyzer: Omicron EA125.
2.送件樣品面積需大於25mm*25mm，且不得具有強磁性、揮發性、毒性及輻射性。若致設備汙染或損壞，由該申請人支付相關維修費用。
3.送件樣品若無法於30分鐘內以降至所需真空度(5x10^-6 torr)以下，則取消該次實驗且就已操作的時間收取費用。
4.本實驗室依報價單所列條件進行XPS取圖，並提供原始數據檔案(.spe/ .txt)與元素成分比例結案報告後即完成該次服務，不負責數據分析研判之工作。
5.結案報告交期為收到報價回簽單並取得樣品後約10個工作天，如遇設備故障則交期另議或取消訂單。
6.送件樣品請於檢測完3天內取回，逾期則視廢棄物處理，不另行通知。

註3 EUV服務及限制：
1.可量測樣品EUV(13.5nm)波段10 ~ 84度絕對反射以及穿透率，並可提供光阻曝光測試。


服務案例

本實驗室除了固有的機台提供使用以外，亦提供設備客製化開發的案例

 

合作夥伴位置圖